在掃描電鏡（SEM）成像過程中，非導(dǎo)電樣品容易產(chǎn)生充電效應(yīng)，導(dǎo)致圖像模糊、亮度不均、漂移或偽影。為了避免這些問題，可以采取以下措施：

1. 物理方法：提高樣品導(dǎo)電性

(1) 噴涂導(dǎo)電涂層

對(duì)非導(dǎo)電樣品（如生物樣品、陶瓷、高分子材料）進(jìn)行導(dǎo)電涂層處理，以提供電子通路：

常見涂層材料：金（Au）、鉑（Pt）、碳（C）、銀（Ag）、鉻（Cr）。 

涂層厚度：建議 5–20 nm，避免影響微觀結(jié)構(gòu)細(xì)節(jié)。 

方法： 熱蒸發(fā)（Thermal Evaporation）：適用于均勻薄層。 

濺射鍍膜（Sputter Coating）：更均勻，可控性更好。 

碳蒸發(fā)（Carbon Evaporation）：適用于 EDS（能譜分析），避免 X 射線干擾。 

選擇：

SE（二次電子）成像：Au、Pt 涂層。 

BSE（背散射電子）成像：C 涂層（避免高原子序數(shù)影響對(duì)比）。 

EDS 分析：C、Cr 涂層（避免元素干擾）。 

(2) 在樣品表面噴涂導(dǎo)電膠

用 銀漿（Silver Paint）、碳膠（Carbon Paste） 連接樣品與樣品臺(tái)，提高導(dǎo)電性。 

適用于局部導(dǎo)電處理，如陶瓷或復(fù)合材料樣品。 

(3) 選擇合適的載物臺(tái)

采用導(dǎo)電載物臺(tái)（如鋁臺(tái)、銅臺(tái)），增強(qiáng)電荷釋放通道。 

使用導(dǎo)電膠帶（Carbon Tape）將樣品粘附，提高電荷泄放能力。 

2. SEM 操作參數(shù)優(yōu)化

(1) 降低加速電壓

高電壓（>15 kV）易導(dǎo)致電子深層穿透，增加充電效應(yīng)。 

低電壓（1–5 kV）可以減少電子滯留，降低充電偽影。 

策略：

高分辨率成像：低電壓（1–3 kV），減少樣品充電。 

背散射成像：適當(dāng)提高電壓（5–10 kV），提升信號(hào)質(zhì)量。 

(2) 采用環(huán)境掃描電鏡（ESEM）

ESEM（Environmental SEM） 適用于潮濕、生物、非導(dǎo)電樣品，通過低氣壓水蒸氣中和充電。 

典型工作氣壓：100–1000 Pa。 

(3) 選擇合適的探測(cè)器

低電壓+二次電子探測(cè)器（SE） → 適合高分辨率成像。 

低電壓+背散射電子探測(cè)器（BSE） → 適合成分對(duì)比，提高充電樣品可視化效果。 

ESEM 模式+氣體二次電子探測(cè)器（GSED） → 適合非導(dǎo)電材料。 

3. 樣品安裝與制備

(1) 增加導(dǎo)電路徑

用導(dǎo)電膠帶或銀膠連接樣品與樣品臺(tái)，確保電荷泄放。 

盡量減少樣品懸空區(qū)域，避免孤立電荷積累。 

(2) 機(jī)械研磨或離子拋光

對(duì)表面不平整的樣品進(jìn)行機(jī)械研磨，減少局部電荷堆積。 

使用**離子拋光（Ion Milling）去除絕緣表層，提高導(dǎo)電性。 

4. 數(shù)據(jù)處理（后期補(bǔ)償）

圖像后處理：軟件補(bǔ)償亮度、對(duì)比度，減少充電偽影。 

多幀平均（Frame Integration）：提高信噪比，減少充電帶來的條紋。

以上就是澤攸科技小編分享的如何處理樣品以避免在掃描電鏡下發(fā)生充電偽影的介紹。更多掃描電鏡產(chǎn)品及價(jià)格請(qǐng)咨詢15756003283(微信同號(hào))。